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SE-VE光谱椭偏仪

      本设备基于单旋转补偿器调制技术一次性获取Psi/DeltaN/C/S、反射率等光谱,可实现基底上单层到多层薄膜的膜厚、光学常数的快速分析表征。

SE-VE光谱椭偏仪

  本设备基于单旋转补偿器调制技术一次性获取Psi/DeltaN/C/S、反射率等光谱,可实现基底上单层到多层薄膜的膜厚、光学常数的快速分析表征。


1、 椭偏仪测头规格:

1) 光谱范围:400-800nm

2) 入射角:65°

3) 斑大小:200μm

4) 调制技术:PCRSA调制技术

5) 重复性测量精度:0.01nm100nm 硅基SiO2样件,30次重复测量

6) 膜厚测量范围:0.1nm20μm

7) 单点测量时间:<5s

8) 光源:高性能进口卤素灯光源(卤素灯寿命:2,000h

9) 可视化样品显微对准系统

2、 样品台规格:

1) 基板尺寸:最大支持样件尺寸到Ф180mm

2) Z位移行程0-10mm

3) 样件台俯仰角度> ±2°

 

3、 测控与分析软件

1) 光谱测量能力:PSI/DELTA椭偏光谱、N/C/S光谱反射率光谱测量

2) 数据分析能力:具备单层、多层膜厚、光学常数(折射率、消光系数)分析能力

3) 支持常用光学常数模型以及常用振子模型(柯西模型、洛伦兹模型、高斯模型等),并支持图形化多振子混合模型拟合功能

4) 支持多组分薄膜与体材料光学常数、组分比例分析功能; 核心算法包含严格耦合波模型、等效介质模型

      5)支持用户自定义,软件不限制拷贝数量,支持windows10操作系统


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